硅橡胶材料的工频击穿属于破坏性放电试验，国标 GB/T16927.1-1997 针对破坏性放电试验利用正态分布、韦伯分布和二重指数分布来实现数据分析。对于工程电介质的击穿强度，一般考虑的是韦伯分布。一般认为硅橡胶材料的击穿强度大约为 20kV/mm 左右，电场强度的增大会引起通过介质的电流增大，温度变化使得电阻率减小而产生的影响很小，最终引发击穿。

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硅橡胶材料的工频击穿属于破坏性放电试验，国标 GB/T16927.1-1997 针对破坏性放电试验利用正态分布、韦伯分布和二重指数分布来实现数据分析。对于工程电介质的击穿强度，一般考虑的是韦伯分布。一般认为硅橡胶材料的击穿强度大约为 20kV/mm 左右，电场强度的增大会引起通过介质的电流增大，温度变化使得电阻率减小而产生的影响很小，最终引发击穿。

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2012 年 10 月，清华大学的周远翔，侯非，刘睿等人采用针板电极结构对高温硫化硅橡胶做了工频击穿试验，得出在 0~120℃的温度范围内，硅橡胶的击穿场强随着温度的升高呈线性规律下降，从 25℃到 90℃击穿场强减少了 4%。2014 年 5 月，中国电力科学研究院的常文治，阎春雨，毕建刚等人采用平板电极结构对具有局部缺陷的硅橡胶薄片施加工频电压，电压上升到 18kV 并维持10min 后试品被击穿，在材料内部出现电树枝形成黑色放电通道，并引发整个绝缘击穿。硅橡胶中产生电树枝直至击穿的过程可以分为电树枝起始及生长阶段、滞长阶段以及快速生长阶段。

2012 年 10 月，清华大学的周远翔，侯非，刘睿等人采用针板电极结构对高温硫化硅橡胶做了工频击穿试验，得出在 0~120℃的温度范围内，硅橡胶的击穿场强随着温度的升高呈线性规律下降，从 25℃到 90℃击穿场强减少了 4%。2014 年 5 月，中国电力科学研究院的常文治，阎春雨，毕建刚等人采用平板电极结构对具有局部缺陷的硅橡胶薄片施加工频电压，电压上升到 18kV 并维持10min 后试品被击穿，在材料内部出现电树枝形成黑色放电通道，并引发整个绝缘击穿。硅橡胶中产生电树枝直至击穿的过程可以分为电树枝起始及生长阶段、滞长阶段以及快速生长阶段。